Micron potrebbe aver sviluppato un’alternativa “indistruttibile” alla memoria NAND
Secondo fonti online, Micron avrebbe presentato un cristallo di memoria non volatile FeRAM di dimensioni record. Questa soluzione avrebbe una risorsa significativamente più elevata e una maggiore resistenza alle condizioni operative rispetto alle unità SSD convenzionali.
La memoria non volatile FeRAM è più veloce della memoria flash NAND ed è resistente all’usura e ai campi magnetici. Tuttavia, ha una densità inferiore e costa di più rispetto alle classiche celle SSD, quindi non è molto utilizzata, nonostante sia prodotta da più di 20 anni. Le soluzioni basate su FeRAM possono essere trovate in dispositivi come contatori elettrici intelligenti, stampanti e controller RAID.
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Secondo gli addetti ai lavori, il nuovo sviluppo di Micron potrebbe cambiare questa situazione. A sostegno della loro teoria, hanno pubblicato un articolo presumibilmente presentato dall’azienda in una delle conferenze chiuse. L’articolo riporta la creazione di una cella di memoria da 32 GB (per confronto, Fujitsu e Sk Hynix offrono attualmente soluzioni da 8 MB e Toshiba – 128 MB).
L’abstract del documento menziona la possibilità di dotare le architetture informatiche tradizionali di una memoria più efficiente per accelerare lo spostamento dei dati. Molto probabilmente stiamo parlando di soluzioni server per l’informatica AI. La fonte si riferisce anche alle seguenti caratteristiche della memoria NVDRAM: una risorsa di circa 10¹⁵ cicli di riscrittura, una velocità di scrittura da 70 a 120 ns e “sopravvivenza” dei dati in una cella fino a 10 anni.
Gli addetti ai lavori non forniscono informazioni sul prezzo e sui tempi di inizio della produzione di moduli di memoria “indistruttibili”.
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