Samsung rivoluziona i chip: transistor impilati in 3D per raddoppiare la densità
Samsung compie un passo importante nell’evoluzione dei semiconduttori, presentando una tecnologia che potrebbe cambiare il modo in cui vengono progettati i chip del futuro. Durante il VLSI Symposium 2026, il colosso sudcoreano ha mostrato la prima implementazione funzionante di una struttura 3D Stacked FET, una soluzione che abbandona il tradizionale posizionamento orizzontale dei transistor per adottare un’architettura verticale.
Da anni l’industria dei semiconduttori cerca di aumentare le prestazioni riducendo progressivamente le dimensioni dei transistor. Tuttavia, i limiti fisici stanno diventando sempre più evidenti: componenti troppo vicini tra loro generano interferenze, maggiori dispersioni di corrente e un incremento dei consumi energetici. Per superare questo ostacolo, Samsung ha scelto una strada differente, puntando sull’utilizzo dello spazio in altezza anziché comprimere ulteriormente gli elementi sul piano.
Un nuovo record nella miniaturizzazione dei transistor
Gli ingegneri dell’azienda sono riusciti a realizzare una struttura con un pitch di soli 42 nanometri, stabilendo un nuovo riferimento per i transistor logici prodotti fisicamente. Il risultato supera il precedente standard industriale fissato a 48 nanometri, dimostrando il potenziale della nuova architettura.
La soluzione sfrutta inoltre canali nanosheet a tre strati e introduce per la prima volta una connessione verticale diretta tra i transistor superiori e inferiori tramite la tecnologia RBC. In pratica, due transistor che normalmente occuperebbero spazio affiancati vengono collocati uno sopra l’altro, mantenendo invariata la superficie utilizzata.
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Più potenza per intelligenza artificiale e data center
Secondo Samsung, questa innovazione potrebbe quasi raddoppiare la densità dei transistor all’interno dei chip. Un vantaggio particolarmente interessante per i processori dedicati all’intelligenza artificiale, gli acceleratori di calcolo e le soluzioni destinate ai server, dove ogni millimetro quadrato del silicio disponibile è fondamentale.
Le stime preliminari indicano che l’approccio 3D potrebbe consentire un miglioramento dell’efficienza energetica fino a due volte rispetto alle tecniche tradizionali, accompagnato da un incremento simile della densità computazionale. Se questi risultati verranno confermati nelle future implementazioni commerciali, l’impatto sull’intero settore potrebbe essere significativo.
Dalla dimostrazione ai prodotti reali
Per il momento la tecnologia è stata mostrata come dimostrazione tecnica e non è ancora presente in prodotti destinati al mercato. Il prossimo obiettivo sarà sviluppare circuiti completi basati su questa architettura, inclusi moduli SRAM e generatori di segnali di test, passaggi fondamentali prima di una possibile produzione su larga scala.
La ricerca di Samsung conferma come il futuro dei semiconduttori possa passare sempre più attraverso soluzioni tridimensionali, aprendo la strada a chip più potenti, efficienti e compatti rispetto a quelli attuali.
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